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    日期:2022-10-02 08:46
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    摘要: 举例: SKM100GB123D SK SK表示SEMIKRON的IGBT M 表示应用技术或者模块结构: M——表示采用MOS技术 D——表示七单元模块(即互相整流桥+1CBT斩波器) 100 表示集电极电流等级,条件Tcase =25℃时的Ic,单位为A G 表示IGBT开关 B 表示线路的类型或者特点: A——表示线路为单只开...
    举例:                         SKM100GB123D
    SK SK表示SEMIKRON的IGBT
     M 表示应用技术或者模块结构:
    M——表示采用MOS技术
    D——表示七单元模块(即互相整流桥+1CBT斩波器)
    100 表示集电极电流等级,条件Tcase =25℃时的Ic,单位为A
    G 表示IGBT开关
      B 表示线路的类型或者特点:
    A——表示线路为单只开关
    AL——表示线路为斩披器模块(即IGBT+集电极端续流二极管)
    AR——表示线路为斩波器模块(即 1GBT+发射极端续流二极管)
    AH——表示线路为非对称H 桥
    AX——表示线路为单只IGBT+集电极端串联二极管(反向阻断)
    AY——表示线路为单只IGBT+发射极端串联二极管(反向阻断)
    B——表示线路为两单元模块(半桥)
    BD——表示线路为两单元模块(半桥)+串联二极管(反向阻断)
    D——表示线路为六单元(三相桥)
    DL——表示线路为七单元(三相桥+AL斩波器)
    H——表示线路为单相全桥
    M——表示线路为两只lGBT在集电极端相连
    12 表示集电极与发射极间电压等级( VCE为型号中的数字×100,例如12× 100V= 1200V= VCE)
    3 表示IGBT的系列号:
    0——表示第1代产品(1988 ~ 1991 年,集电极额定电流为Tcase =80℃时的值)
    1、2——表示笫l代产品(1992~1996 年,集电极额定电流为Tcase =25℃时的值。600V产品为集电极I额定电流Tcase =80℃时的值
    3——表示第2代产品(600V与1200v为高密度NPT型IGBT。1700V为第1代NPT型IGBT+ CAL二极管。600V产品为集电极额定电流为Tase=80℃时的值。1200V与1700V产品为集电极额定电流为Tcase=25℃时的值
    4——表示高密度、低饱和压降NPT型IGBT( 1200V、I700V)
    5——表示高密度、高速NPT型lGBT(600V、1200V)
    6——表示沟道式NPT型IGBT
    D 表示为特点:
    D-表示快速恢复二极管
    K——表示SEMIKRON五号外壳带螺栓端予
    L——表示六单元外壳带焊接端子
    S——表示集电极检测端子
    I——表示加强的反向二极管(高功率输出)
    赛米控的IGBT的命名方法与规律2见表2。
    举例:          SK 100 G B 12 3×
    SK SK 表示SEMIKRON的IGBT
    100 表示集电极电流等级,条件Tcase= 25℃时的Ic,单位为A。
    G 表示应用技术或者模块结构:
    G——表示IGBT开关
    M——表示MOSFET开关
    B 表示线路的类型或者特点:
    A——表示线路为单只开荚
    AL——表示线路为斩波器模块(即 IGBT+集电极端续流二极管)
    AR——表示线路为斩波器模块(即 IGBT+发射极端续流二极管)
    AH——表示线路为非对称H 桥
    B——表示线路为两单元模块(半桥)
    BD——表示线路为两单元模块(半桥)+串联二极管(反向阻断)
    D——表示线路为六单元(三相桥)
    H——表示线路为单相全桥
    12 表示集电极与发射极闯电压等级(VCE为绝号中的数字×100,例如1×100V =1200V= VCE.)
    3 表示IGBT的系列号:
    2——表示PT型(仅600V产品)
    3——表示高密度NPT型产品
    4——表示高密度、低饱和压降 NPT型ICBT
    5——表示高密度、高速NPT型IGBT
    × 特点(没有定义)
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